szukanie zaawansowane
 [ Posty: 6 ] 
Autor Wiadomość
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 9 cze 2018, o 21:15 
Użytkownik

Posty: 22
Lokalizacja: Warszawa
Omów działanie pokazanej niżej bramki NAND w technologii DTL (ang. Diode-Transistor
Logic), czyli logice diodowo-tranzystorowej.

Ukryta treść:    

Nie wiem za bardzo jak działa ten układ. Diody są tu w kierunku zaporowym, więc wejścia A i B nie mają znaczenia?
Uniwersytet Wrocławski Instytut Matematyczny - rekrutacja 2018
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 10 cze 2018, o 01:13 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1819
Lokalizacja: Warszawa
uczen23 napisał(a):
Diody są tu w kierunku zaporowym, więc wejścia A i B nie mają znaczenia?
Diody D1, D2 będą spolaryzowane w kierunku zaporowym, wtedy gdy podamy odpowiednio wysokie napięcia na zaciski A i B względem punktu masy układu. Czy prąd bazy tranzystora będzie wtedy zerowy? Ile będzie wynosił tak "pi razy drzwi"?

Kiedy którekolwiek z napięć punktów A i B będzie zerowe, co oznacza, że punkt A lub B jest "niemal" podłączony do masy, wtedy praktycznie napięcie baza-emiter tranzystora jest zerowe. Co z tego wynika?
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 10 cze 2018, o 10:57 
Użytkownik

Posty: 22
Lokalizacja: Warszawa
Cytuj:
Kiedy którekolwiek z napięć punktów A i B będzie zerowe, co oznacza, że punkt A lub B jest "niemal" podłączony do masy, wtedy praktycznie napięcie baza-emiter tranzystora jest zerowe. Co z tego wynika?

Wtedy tranzystor pracuje w trybie odcięcia, czyli prąd nie płynie przez tranzystor, co za tym idzie żaden prąd nie płynie przez rezystor nad tranzystorem, czyli napięcie na rezystorze jest równe 0. Zatem napięcie V_c_c odkłada się na tranzystorze, czyli Y=V_c_c.

Cytuj:
Diody D1, D2 będą spolaryzowane w kierunku zaporowym, wtedy gdy podamy odpowiednio wysokie napięcia na zaciski A i B względem punktu masy układu. Czy prąd bazy tranzystora będzie wtedy zerowy? Ile będzie wynosił tak "pi razy drzwi"?

Nie rozumiem trochę tego. Przecież nieważne jak duże napięcie, gdy diody są w kierunku zaporowym to całe napięcie na nich się "odkłada", chyba że dojdziemy do napięcia przebicia, ale nie są to diody Zenera, więc najpewniej się uszkodzą.


EDIT:

Nie wiem czy to poprawnie, ale jeśli na zaciski A i B damy duże napięcie, większe niż V_c_c to prąd popłynie w stronę tranzystora, bo V_c_c nie "przepchnie" napięcia na wejściach.
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 10 cze 2018, o 22:54 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1819
Lokalizacja: Warszawa
uczen23 napisał(a):
Wtedy tranzystor pracuje w trybie odcięcia, czyli prąd nie płynie przez tranzystor, co za tym idzie żaden prąd nie płynie przez rezystor nad tranzystorem, czyli napięcie na rezystorze jest równe 0. Zatem napięcie V_c_c odkłada się na tranzystorze, czyli Y=V_c_c.
Trochę język trzeba zmienić:
"rezystor nad tranzystorem" = rezystor w obwodzie kolektora (oczywiście najlepiej jeśli element jest oznaczony symbolem na schemacie, wtedy możemy się tym symbolem posługiwać);
U_{CE}=V_{cc}, bo zmienna Y jest zmienną logiczną;
"napięcie odkłada się" - to też bym weliminował - inaczej można to sformułować, ale różnie ludzie mówią/piszą!

uczen23 napisał(a):
Cytuj:
Diody D1, D2 będą spolaryzowane w kierunku zaporowym, wtedy gdy podamy odpowiednio wysokie napięcia na zaciski A i B względem punktu masy układu. Czy prąd bazy tranzystora będzie wtedy zerowy? Ile będzie wynosił tak "pi razy drzwi"?

Nie rozumiem trochę tego. Przecież nieważne jak duże napięcie, gdy diody są w kierunku zaporowym to całe napięcie na nich się "odkłada"
Jakie "całe"?

uczen23 napisał(a):
Nie wiem czy to poprawnie, ale jeśli na zaciski A i B damy duże napięcie, większe niż V_c_c to prąd popłynie w stronę tranzystora, bo V_c_c nie "przepchnie" napięcia na wejściach.
Trochę za dużo poezji i ciężko to zrozumieć.

Obrazek

Dla obwodu wejściowego bramki logicznej możemy napisać trzy równania napięciowe:
V_{cc}-R \left( I_A+I_B+I_T\right)-U_{DA}=U_A\\
V_{cc}-R \left( I_A+I_B+I_T\right)-U_{DB}=U_B\\
V_{cc}-R \left( I_A+I_B+I_T\right)-U_{D}=U_{BE}

(nie trzymam się indeksów na schemacie, bo nie są one zbyt logiczne!, symbolem I_T oznaczyłem prąd bazy tranzystora; symbolem U_D oznaczyłem napięcie diody przyłączonej bezpośrednio do bazy tranzystora; symbolem U_{BE} oznaczyłem napięcie baza-emiter tranzystora; wejściowe prądy bramki I_A, I_B strzałkuję w kierunku masy, prąd I_T strzałkuję w kierunku bazy trazystora - nie chce mi się "smarować" strzałek).

Piszemy jeszcze jedno równanie napięciowe w obwodzie wyjściowym bramki, czyli w obwodzie kolektor-emiter tranzystora:

V_{cc}=R_C I_C+U_{CE}

...i koniec filozofii - tylko jeszcze od czasu do czasu zerkamy na charakterystyki statyczne tranzystora i diody.

Kiedy diody w obwodzie wejściowym bramki przestaną przewodzić prąd? Dla jakich napięć U_A, U_B?

-- 10 cze 2018, o 23:12 --

Może się przydać: https://www.electrical4u.com/diode-and-transistor-nand-gate-or-dtl-nand-gate/ (co prawda jest tam bardzo uproszczona analiza, ale może na początek wystarczy)
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 12 cze 2018, o 18:03 
Użytkownik

Posty: 22
Lokalizacja: Warszawa
dla U_a,U_B>V_c_c?
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 cze 2018, o 00:42 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1819
Lokalizacja: Warszawa
Co mówi charakterystyka statyczna diody? Zakładamy dla uproszczenia, że przy polaryzacji wstecznej prąd diody jest zerowy.
Góra
Utwórz nowy temat Odpowiedz w temacie  [ Posty: 6 ] 


 Zobacz podobne tematy
 Tytuł tematu   Autor   Odpowiedzi 
 Układ potencjometrów  kalwi  1
 Układ nieustalony - metoda operatorowa  BB-2  12
 Układ oporników i kondensator.  Anxious  8
 Zasilacz stabilizujący- układ  hoja  1
 Równanie Lagrange'a i układ elektro-mechaniczny  Tomekpolsl  0
 
Atom [Regulamin Forum] [Instrukcja LaTeX-a] [Poradnik] [F.A.Q.] [Reklama] [Kontakt]
Copyright (C) Karpatka.pl