szukanie zaawansowane
 [ Posty: 21 ]  Przejdź na stronę Poprzednia strona  1, 2
Autor Wiadomość
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 7 lip 2018, o 20:32 
Użytkownik

Posty: 30
Lokalizacja: Warszawa
Aj, tam jest u_e, a ja myślałem, że zejście do masy. No to rzeczywiście wzmocnienie tego układu to jest k_u=-\frac{R_3}{R_4+r_\pi}=-\frac{R_3}{R_4+\frac{\varphi_T}{I_C}} \approx -\frac{R_3}{R_4}

Jak nie ma kondensatora C_E podłączonego do układu, to nie ma ujemnego sprzężenia zwrotnego, więc na r_\pi odłoży się dużo mniejsze napięcie, więc i wzmocnienie będzie dużo mniejsze.

A jakby ktoś szukał odpowiedzi na pytanie autora

Cytuj:
Załóżmy że na wejście U_i_n podajemy napięcie sinusoidalne.
2. Dlaczego na U_E dostaniemy takie samo napięcie jak na U_i_n


Załóżmy, że na wejściu mamy zmianę napięcia o \Delta U_{WE}. Taka sama zmiana napięcia odłoży się na bazie, a co za tym idzie, i na emiterze. Tj. \Delta U_{WE}=\Delta V_B=\Delta V_E
I patrząc na to jak się zmieni prąd emitera:

I_E=\frac{V_E}{R_E+r_\pi}

więc

\Delta I_E=\frac{\Delta V_E}{R_E+r_\pi} =\frac{\Delta U_{WE}}{R_E+r_\pi}

A jakie napięcie jest na wyjściu przy emiterze?
Jest ono równe U_{WY}=I_E\cdot R_E

stąd, zmieniając napięcie wejściowe o \Delta U_{WE} na wyjściu napięcie się zmieni o

\Delta U_{WY}=\Delta I_E\cdot R_E=\Delta U_{WE}\cdot\frac{R_E}{R_E+r_\pi}

A wzmocnienie to jest nic innego jak

k_u=\frac{\Delta U_{WY}}{\Delta U_{WE}}=\frac{\Delta U_{WE}}{\Delta U_{WE}}\cdot\frac{R_E}{R_E+r_\pi} \approx 1

ponieważ r_\pi ma jakieś paręnaście - parędziesiąt omów, a R_E parę tysięcy, więc R_E >> r_\pi

Podobne rozumowanie jest w przypadku pierwszego pytania

Cytuj:
1. Dlaczego na U_c dostaniemy napięcie U_i_n obrócone w fazie?


Tylko tam U_{WY}=-I_C\cdot R_C  \approx -I_E\cdot R_C

Stąd

\Delta U_{WY}=-\Delta I_E\cdot R_C=-\Delta U_{WE}\cdot\frac{R_C}{R_E+r_\pi}

Stąd

k_u=\frac{\Delta U_{WY}}{\Delta U_{WE}}=-\frac{R_C}{R_E+r_\pi} \approx -\frac{R_C}{R_E}

Jeśli byłby kondensator C_E, to wtedy prawdziwy byłby wzór

k_u=-\frac{R_C}{r_\pi}=-g_mR_C=-\frac{I_C\cdot R_C}{\varphi_T}
Uniwersytet Wrocławski Instytut Matematyczny - rekrutacja 2018
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 lip 2018, o 14:22 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1848
Lokalizacja: Warszawa
buldozer napisał(a):
No to rzeczywiście wzmocnienie tego układu to jest k_u=-\frac{R_3}{R_4+r_\pi}=-\frac{R_3}{R_4+\frac{\varphi_T}{I_C}} \approx -\frac{R_3}{R_4}

Jeśli przyjąć model małosygnałowy tranzystora:

u_{be} \approx r_{be} \cdot i_{b}+k_{f} \cdot u_{ce} \\ i_{c} \approx \beta \cdot i_{b}+\frac{1}{r_{ce}} \cdot u_{ce}

i założyć, że r_{ce} \rightarrow  \infty, k_{f}=0, to wzór na wzmocnienie przedstawionego układu (wtedy gdy sygnał wyjsciowy "zbieramy" z kolektora tranzystora):

k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}}

gdzie: R_{C}=R_{3}, R_{E}=R_{4}


buldozer napisał(a):
ponieważ r_\pi ma jakieś paręnaście - parędziesiąt omów, a R_E parę tysięcy, więc R_E >> r_\pi
Rezystancja wejściowa tranzystora bipolarnego równa paręnaście - parędziesiąt omów? :) Chyba kilkaset omów do kilkuset kiloomów.

buldozer napisał(a):
k_u=\frac{\Delta U_{WY}}{\Delta U_{WE}}=-\frac{R_C}{R_E+r_\pi} \approx -\frac{R_C}{R_E}
Tu znowu stosujesz to dziwne założenie.

buldozer napisał(a):
Jeśli byłby kondensator C_E, to wtedy prawdziwy byłby wzór

k_u=-\frac{R_C}{r_\pi}=-g_mR_C=-\frac{I_C\cdot R_C}{\varphi_T}

Znów zawieruszył Ci się prąd kolektora we wzorze? Tam mają być stałe parametry.

k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}} \bigg| _{R_{E}=0}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}}
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 lip 2018, o 17:14 
Użytkownik

Posty: 30
Lokalizacja: Warszawa
Cytuj:
k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}}

gdzie: R_{C}=R_{3}, R_{E}=R_{4}



k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{\beta\cdot r_{eb}+(1+\beta)R_{E}}=-\frac{R_C}{r_{eb}+R_E\cdot\frac{1+\beta}{\beta}} \approx -\frac{R_C}{\frac{\varphi_T}{I_C}+R_E} \approx -\frac{R_C}{R_E}

\frac{\varphi_T}{I_C}=\frac{25mV}{I_C}

prąd kolektora ma jakiś od ułamka do paru miliamperów, więc rezystancja emiter-baza, ma paręnaście - parędziesiąt omów, a rezystor przy emiterze parę kiloomów, więc dlatego można to pominąć - tak chociażby jest u Horowitza w Sztuce Elektroniki

Obrazek
Obrazek


mdd napisał(a):
Tu znowu stosujesz to dziwne założenie.

Wzoruje się na (uproszczonym) rozumowaniu Horowitza, więc raczej nie jest ono złe.

mdd napisał(a):
Tam mają być stałe parametry

Może we wzorze per se mają być stałe parametry, ale przecież r_{be} jest zależne od punktu pracy tranzystora, więc stałe nie jest - i w praktyce i tak do tego się sprowadzi, że to I_C się tam znajdzie
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 lip 2018, o 22:27 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1848
Lokalizacja: Warszawa
buldozer napisał(a):
Cytuj:
k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}}

gdzie: R_{C}=R_{3}, R_{E}=R_{4}



k_{u}=-\frac{\beta \cdot R_{C}}{r_{be}+(1+\beta)R_{E}}=
-\frac{\beta \cdot R_{C}}{ {\red \beta \cdot r_{eb} } +(1+\beta)R_{E}}=\ldots
Co to za numery Bruner? :)

buldozer napisał(a):
\frac{\varphi_T}{I_C}=\frac{25mV}{I_C}
prąd kolektora ma jakiś od ułamka do paru miliamperów, więc rezystancja emiter-baza, ma paręnaście - parędziesiąt omów, a rezystor przy emiterze parę kiloomów, więc dlatego można to pominąć - tak chociażby jest u Horowitza w Sztuce Elektroniki

Rezystancja baza-emiter tranzystora wyraża się wzorem:

r_{be} \approx \frac{\beta \cdot \varphi_{T}}{I_{C}}

i wynika to z uproszczeń modelu Ebersa-Molla:
Parametry małosygnałowe
https://ea.elportal.pl/bipolarne.html i nie jest to definicja.

buldozer napisał(a):
mdd napisał(a):
Tu znowu stosujesz to dziwne założenie.

Wzoruje się na (uproszczonym) rozumowaniu Horowitza, więc raczej nie jest ono złe.
Może jest to atrakcyjne dla tych, co mają odruchy wymiotne na widok bardziej rozbudowanych wzorów matematycznych. To teraz wyzeruj R_{E} w tym uproszczonym wzorze. Naprawdę wzmocnienie dąży do nieskończoności? Zrób to samo we wzorze, który przytoczyłem. Jest różnica? Ten wzór przytoczony przeze mnie i tak jest przybliżony, ale o niebo lepszy od tego przytoczonego przez Ciebie.

buldozer napisał(a):
mdd napisał(a):
Tam mają być stałe parametry

Może we wzorze per se mają być stałe parametry, ale przecież r_{be} jest zależne od punktu pracy tranzystora, więc stałe nie jest - i w praktyce i tak do tego się sprowadzi, że to I_C się tam znajdzie
To właśnie liczymy wzmocnienie dla konkretnego punktu pracy i w tym sensie parametry małosygnałowe są stałe. Parametry małosygnałowe mogą mieć te same wartości dla dwóch tranzystorów przy różnych prądach kolektora. Poza tym Punkt pracy tranzystora nie określa jedynie wartość prądu kolektora.
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 lip 2018, o 22:45 
Użytkownik

Posty: 30
Lokalizacja: Warszawa
mdd napisał(a):
Co to za numery Bruner?

No wie Pan co :D

https://i.imgur.com/Gc9Vhh2.png

mdd napisał(a):
Rezystancja baza-emiter tranzystora wyraża się wzorem:

No to zależy, czy widzimy ją od strony emitera, czy bazy. Wzór bez bety jest widziany od strony emitera.

mdd napisał(a):
Może jest to atrakcyjne dla tych, co mają odruchy wymiotne na widok bardziej rozbudowanych wzorów matematycznych. To teraz wyzeruj w tym uproszczonym wzorze. Naprawdę wzmocnienie dąży do nieskończoności? Zrób to samo we wzorze, który przytoczyłem. Jest różnica? Ten wzór przytoczony przeze mnie i tak jest przybliżony, ale o niebo lepszy od tego przytoczonego przez Ciebie.

Ja sobie z tego dobrze zdaję sprawę, ale na potrzeby kolokwium, jakiegoś zadania czy laborki w zupełności wystarcza taki uproszczony wzór - a autor tematu zdaje się, studiuje informatykę.
Góra
Mężczyzna Offline
PostNapisane: 13 lip 2018, o 23:26 
Użytkownik
Avatar użytkownika

Posty: 1848
Lokalizacja: Warszawa
buldozer napisał(a):
mdd napisał(a):
Co to za numery Bruner?

No wie Pan co :D

https://i.imgur.com/Gc9Vhh2.png
Kto to wymyśla takie cóś! Wymyślają różne parametry, potem się dogadać nie można :wink:
Góra
Utwórz nowy temat Odpowiedz w temacie  [ Posty: 21 ]  Przejdź na stronę Poprzednia strona  1, 2


 Zobacz podobne tematy
 Tytuł tematu   Autor   Odpowiedzi 
 Transmitancja zastępcza układu.  mtbchn  1
 Rezystancja zestępcza układu.  chrzaszcz95  2
 Obserwowalność układu  Qwertyluk  1
 Obliczanie rezystancji układu  grzeho16  1
 Transmitancja zastępcza układu blokowego  killermannnnn  5
 
Atom [Regulamin Forum] [Instrukcja LaTeX-a] [Poradnik] [F.A.Q.] [Reklama] [Kontakt]
Copyright (C) Karpatka.pl